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功率半導體市場動態--IGBT國產迎來新機遇
2020-12-01
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)即絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT和MOSFET組成的複合功率半導體器件,既具備MOSFET的開關速度高、輸入阻抗高、控制功率小、驅動電路簡單、開關損耗小的優點,又有BJT導通電壓低、通態電流大、損耗小的優點,在高壓、大電流、高速等方面有突出的產品競爭力,已成為電力電子領域開關器件的主流發展方向。
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