刊物及廣告資料 > 刊物簡介 > 無線電技術 > 第561期 市場動態
功率半導體市場動態--IGBT國產迎來新機遇
2020-12-01
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)即絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT和MOSFET組成的複合功率半導體器件,既具備MOSFET的開關速度高、輸入阻抗高、控制功率小、驅動電路簡單、開關損耗小的優點,又有BJT導通電壓低、通態電流大、損耗小的優點,在高壓、大電流、高速等方面有突出的產品競爭力,已成為電力電子領域開關器件的主流發展方向。
刊物內容 :
- 2020-04-02 新型冠狀病毒對電子產品製造商的影響 ...
- 2020-02-03 5G與AI將給數據中心帶來怎樣的改變 ...
- 2020-02-03 人工智能AI在各種信息安全系統中的廣泛湧現 ...
- 2019-11-01 探討智能音箱的未來發展 ...
- 2019-10-01 iDM2 Micro-Electronics Node電子開發加速計劃 ...
- 2019-08-02 中美貿易戰為菲律賓半導體業帶來機遇 ...
- 2019-07-02 半導體行業產業鏈、市場動態深度分析 ...
- 2019-06-01 香港電子業概況 ...
- 2019-06-01 電子行車記錄設備(ELD)市場市值將於2025年超過160億美金 ...
- 2019-06-01 尋找國產智能芯片「同時起跑」的新機遇 ...