IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）即絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT和MOSFET組成的複合功率半導體器件，既具備MOSFET的開關速度高、輸入阻抗高、控制功率小、驅動電路簡單、開關損耗小的優點，又有BJT導通電壓低、通態電流大、損耗小的優點，在高壓、大電流、高速等方面有突出的產品競爭力，已成為電力電子領域開關器件的主流發展方向。