Qorvo, Inc.宣佈推出新的50V GaN-on-SiC 電晶體系列---QPD1004、QPD1014和QPD1011，該電晶體系列可以提高性能、增強功能，並加快任務關鍵型戰術和公共安全電台的開發速度。這些電晶體針對寬頻應用進行過輸入匹配處理，並且尺寸小巧，可以實現尺寸更小的新一代通信設備。
 
Qorvo是50V寬頻匹配GaN-on-SiC電晶體的唯一供應商。電壓更高的電晶體具有多種關鍵優勢，其中包括更大的輸出功率，更小的電流損耗，更高的可靠性；系統設計中要求的此類電晶體數量也更少。另外，寬頻匹配可以提高能效，從而為應急設備打造出優化的電路板設計。Qorvo今天推出的最新電晶體專門針對空間受限的任務關鍵型應用而設計，從地面移動無線電通信，到航空電子、測試儀錶，應用非常廣泛。
 
Qorvo 提供多種高功率和高頻RF電晶體，包括GaAs pHEMT和GaN HEMT，二者均提供裸片和封裝兩種形式。有關這些產品的更多資訊，請訪問：http://www.qorvo.com/products/discrete-transistors。